JANTXV2N2060L

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N2060L
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N2060L.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

TO-78-6
Serie

Military, MIL-PRF-19500/270
Leistung - max

2.12W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-78-6 Metal Can
Andere Namen

1086-20660
1086-20660-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 2.12W Through Hole TO-78-6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "JANTXV2N2060L" -Einziper.

JANTXV1N986DUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 110V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

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