Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > JANTXV2N2218A
Online-Anfrage
Deutsch
5813373

JANTXV2N2218A

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV2N2218A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 50V 0.8A TO39
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-39 (TO-205AD)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/251
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Andere Namen
    1086-20667
    1086-20667-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    40 @ 150mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    10nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    800mA
108KXM010MLQ

108KXM010MLQ

Beschreibung: CAP ALUM 1000UF 20% 10V T/H

Hersteller: Illinois Capacitor
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden