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JAN1N6620

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6620
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    220V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2298
    1086-2298-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 220V 2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 220V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6475

JAN1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6490

JAN1N6490

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6476

JAN1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6622

JAN1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6623

JAN1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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