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JAN1N6490

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6490
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    5.1V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 1A
  • Toleranz
    ±5%
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1086-15229
    1086-15229-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    7 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1V
JAN1N6474

JAN1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6475

JAN1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6476

JAN1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6620

JAN1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6473

JAN1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6622

JAN1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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