Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N3645
Online-Anfrage
Deutsch
5110057

JAN1N3645

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$18.127
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N3645
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    5V @ 250mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    S, Axial
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    S, Axial
  • Andere Namen
    1086-2000
    1086-2000-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1400V 250mA Through Hole S, Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1400V
  • Strom - Richt (Io)
    250mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3600

JAN1N3600

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3614

JAN1N3614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Beschreibung: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3613

JAN1N3613

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Beschreibung: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3644

JAN1N3644

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3647

JAN1N3647

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3646

JAN1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3766

JAN1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3768

JAN1N3768

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3612

JAN1N3612

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3611

JAN1N3611

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden