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JAN1N3613

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N3613
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/228
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-1998
    1086-1998-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 300V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Beschreibung: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3611

JAN1N3611

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3647

JAN1N3647

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3645

JAN1N3645

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595-1

JAN1N3595-1

Beschreibung: DIODE SW 125V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3614

JAN1N3614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3600

JAN1N3600

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3339B

JAN1N3339B

Beschreibung: DIODE ZENER 50W DO-203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3338B

JAN1N3338B

Beschreibung: DIODE ZENER 82V 50W DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3612

JAN1N3612

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3644

JAN1N3644

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Beschreibung: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3646

JAN1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
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