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APTM20HM08FG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM20HM08FG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM20HM08FG.pdf
2.APTM20HM08FG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 104A, 10V
Leistung - max

781W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Typ FET

4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

208A

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Das Folgende sind "APTM20HM08FG" -Einziper.

APTM20HM16FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM20HM08FG

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