APTM20DHM20TG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM20DHM20TG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM20DHM20TG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP4
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 44.5A, 10V
Leistung - max

357W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP4
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

89A

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Das Folgende sind "APTM20DHM20TG" -Einziper.

APTM20DAM04G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 372A SP6

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM20DHM20TG

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