APTC90H12T2G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTC90H12T2G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTC90H12T2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA
Supplier Device-Gehäuse

SP2
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V
Leistung - max

250W
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

SP2
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V
Typ FET

4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal

Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A

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Das Folgende sind "APTC90H12T2G" -Einziper.

APTC90HM60T3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTC90H12T2G

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