APTC90DSK12T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTC90DSK12T1G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTC90DSK12T1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V
Leistung - max

250W
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

SP1
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V
Typ FET

2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET-Merkmal

Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "APTC90DSK12T1G" -Einziper.

SIT2025BEES1-28N

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD

Hersteller: SiTime

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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