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1618156APT75GN60BG-Bild.Microsemi

APT75GN60BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75GN60BG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 155A 536W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 75A
  • Testbedingung
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    47ns/385ns
  • Schaltenergie
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    536W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    485nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    225A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    155A
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120J

APT75GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75M50L

APT75M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75M50B2

APT75M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Beschreibung: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
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