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5881958APT75GN120B2G-Bild.Microsemi

APT75GN120B2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75GN120B2G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 200A 833W TMAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Testbedingung
    800V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    60ns/620ns
  • Schaltenergie
    8045µJ (on), 7640µJ (off)
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    833W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    425nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    225A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    200A
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70SM70J

APT70SM70J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70SM70S

APT70SM70S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120J

APT75GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
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