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APT43M60B2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT43M60B2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 21A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    780W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8590pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    215nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 45A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    45A (Tc)
APT42F50B

APT42F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43GA90B

APT43GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44GA60B

APT44GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43F60L

APT43F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT41M80B2

APT41M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43M60L

APT43M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Beschreibung: IGBT 900V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT41F100J

APT41F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44F80L

APT44F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120J

APT45GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44F80B2

APT44F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT40SM120S

APT40SM120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT41M80L

APT41M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT42F50S

APT42F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43F60B2

APT43F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

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