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APT43GA90B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT43GA90B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 900V 78A 337W TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    900V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 25A
  • Testbedingung
    600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    12ns/82ns
  • Schaltenergie
    875µJ (on), 425µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    337W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    116nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    129A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    78A
APT40SM120B

APT40SM120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 41A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Beschreibung: IGBT 900V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44F80B2

APT44F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43M60L

APT43M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT43M60B2

APT43M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT40SM120J

APT40SM120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT42F50B

APT42F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT41M80L

APT41M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT44GA60BD30

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Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT42F50S

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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APT44GA60B

APT44GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT44F80L

APT44F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT41F100J

APT41F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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APT43F60B2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT41M80B2

APT41M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT43F60L

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Hersteller: Microsemi
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APT40SM120S

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Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

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