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5948265APT35GP120BG-Bild.Microsemi

APT35GP120BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT35GP120BG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 96A 543W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Testbedingung
    600V, 35A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    16ns/94ns
  • Schaltenergie
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Leistung - max
    543W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    APT35GP120BGMI
    APT35GP120BGMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    150nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    140A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    96A
APT35SM70S

APT35SM70S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36GA60B

APT36GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT34M120J

APT34M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GA90B

APT35GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120J

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37F50B

APT37F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT34M60B

APT34M60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35SM70B

APT35SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
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APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Hersteller: Microsemi
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APT36GA60BD15

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Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

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