APT34N80LC3G

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50+

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Spezifikation

Artikelnummer

APT34N80LC3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT34N80LC3G.pdf
2.APT34N80LC3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264 [L]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

417W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen

APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

355nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

34A (Tc)

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Das Folgende sind "APT34N80LC3G" -Einziper.

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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