APT26M100JCU2

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Spezifikation

Artikelnummer

APT26M100JCU2
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT26M100JCU2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

396 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

543W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7868pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

305nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Tc)

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Das Folgende sind "APT26M100JCU2" -Einziper.

APT28F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT26M100JCU2

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