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3371862APT26F120L-Bild.Microsemi

APT26F120L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT26F120L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 14A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1135W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Andere Namen
    APT26F120LMI
    APT26F120LMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    27A (Tc)
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
APT25SM120B

APT25SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GR120S

APT25GR120S

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT26F120B2

APT26F120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT28M120B2

APT28M120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT29F100B2

APT29F100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25SM120S

APT25SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 48A 223W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT28F60B

APT28F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT28F60S

APT28F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25M100J

APT25M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT28M120L

APT28M120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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