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5606768MT48LC64M4A2P-7E:D-Bild.Micron Technology

MT48LC64M4A2P-7E:D

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  • Artikelnummer
    MT48LC64M4A2P-7E:D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    14ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    MT48LC64M4A2
  • Zugriffszeit
    5.4ns
MT48LC64M4A2P-75:D

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT48LC64M8A2P-75:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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MT48LC64M4A2TG-75:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT48LC64M4A2TG-75 L:D

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Hersteller: Micron Technology
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MT48LC64M8A2P-75 IT:C

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MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT48LC64M4A2P-6A:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT48LC4M32LFF5-8 IT:G

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT48LC64M4A2P-7E:G TR

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MT48LC64M4A2P-7E:D TR

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MT48LC64M8A2P-75 L:C

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MT48LC64M4A2TG-6A:D

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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