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MT47H128M16RT-25E:C TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H128M16RT-25E:C TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (9x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H128M16RT-25E:C TR-ND
    MT47H128M16RT-25E:CTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H128M16
  • Zugriffszeit
    400ps
Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M4BT-37E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M4CB-3:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Beschreibung:

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MT47H128M16RT-3:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M4B6-3:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4B6-25:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M16RT-25E AIT:C

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MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M16RT-25E XIT:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M16RT-25E IT:C

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MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M4CB-5E:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4CB-37E:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4CB-37E:B TR

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MT47H128M4CB-3:B TR

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MT47H128M16RT-25E AAT:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M4B6-25E:D TR

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MT47H128M16RT-187E:C TR

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