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MT29F512G08CUCABH3-10R:A

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29F512G08CUCABH3-10R:A
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND
Supplier Device-Gehäuse

100-LBGA (12x18)
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

100-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 100MHz 100-LBGA (12x18)
Uhrfrequenz

100MHz

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "MT29F512G08CUCABH3-10R:A" -Einziper.

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology

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