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MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G

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    MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F2G08ABAFAH4-S:F

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP:E

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Beschreibung:

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G

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Beschreibung:

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MT29F2G08ABAGAM79A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL WAFER

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

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