MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Supplier Device-Gehäuse

137-TFBGA (10.5x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

137-TFBGA
Andere Namen

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR-ND
MT29C4G96MAYBACKD-5WTTR
Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH, RAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-TFBGA (10.5x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

MT29C4G96M

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Das Folgende sind "MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR" -Einziper.

MT29C4G96MAZBACKD-5 WT

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Hersteller: Micron Technology

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