MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Andere Namen

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR-ND
MT29C1G12MAAIYAMR-5AITTR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH, RAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz
Uhrfrequenz

200MHz

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Das Folgende sind "MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR" -Einziper.

MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

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