MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Supplier Device-Gehäuse

107-VFBGA
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

107-VFBGA
Andere Namen

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT-ND
MT29C1G12MAADAEAKC-6IT
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH, RAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) Parallel 166MHz 107-VFBGA
Uhrfrequenz

166MHz
Basisteilenummer

MT29C1G12M

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Das Folgende sind "MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT" -Einziper.

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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