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1505938UMH2N-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

UMH2N-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMH2N-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    UMH2N-TPMSTR
    UMH2NTP
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    UMH2N
UMH11N-TP

UMH11N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
UMH5NTR

UMH5NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
UMH11NTN

UMH11NTN

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH10NTN

UMH10NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
UMH3NTN

UMH3NTN

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH7NTR

UMH7NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH6NTR

UMH6NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH9NTN

UMH9NTN

Beschreibung:

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
UMH14NTR

UMH14NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DDC114TU-7

DDC114TU-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
UP0431200L

UP0431200L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
SMUN5235DW1T1G

SMUN5235DW1T1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
UMH4NTN

UMH4NTN

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH8NTR

UMH8NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH1NTN

UMH1NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH2NTN

UMH2NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH3NFHATN

UMH3NFHATN

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMH1N-TP

UMH1N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

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