UMH4NTN

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Spezifikation

Artikelnummer

UMH4NTN
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.UMH4NTN.pdf
2.UMH4NTN.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

UMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

UMH4NTNCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MH4

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Das Folgende sind "UMH4NTN" -Einziper.

UMH2N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

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