DN2535N3-G-P013

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Spezifikation

Artikelnummer

DN2535N3-G-P013
Hersteller / Marke

Micrel / Microchip Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DN2535N3-G-P013.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-92 (TO-226)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 Ohm @ 120mA, 0V
Verlustleistung (max)

1W (Tc)
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

350V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 350V 120mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120mA (Tj)

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Das Folgende sind "DN2535N3-G-P013" -Einziper.

TPC8032-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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