RUL035N02FRATR

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Spezifikation

Artikelnummer

RUL035N02FRATR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 20V 3.5A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RUL035N02FRATR.pdf
2.RUL035N02FRATR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT6
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RUL035N02FRADKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RUL035N02FRATR" -Einziper.

RULBK

Beschreibung: HARDWARE RACK UNIT LABEL

Hersteller: Hammond Manufacturing

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