RTU002P02T106

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Spezifikation

Artikelnummer

RTU002P02T106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RTU002P02T106.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

200mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RTU002P02T106TR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

250mA (Ta)

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Das Folgende sind "RTU002P02T106" -Einziper.

NVMFS6B75NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RTU002P02T106

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