RQ6C065BCTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6C065BCTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6C065BCTCR.pdf
2.RQ6C065BCTCR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.25W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-95-6
Andere Namen

RQ6C065BCTCRDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.5A (Tc)

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Das Folgende sind "RQ6C065BCTCR" -Einziper.

FDMS7560S

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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