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5129188RK7002T116-Bild.LAPIS Semiconductor

RK7002T116

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RK7002T116
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SST3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    225mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    RK7002T116DKR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    115mA (Ta)
FQD4P40TF

FQD4P40TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DMP22D4UFA-7B

DMP22D4UFA-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IRLR014NTRL

IRLR014NTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IXTQ152N085T

IXTQ152N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
PSMN020-150W,127

PSMN020-150W,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 73A SOT429

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
IRLR7843TRRPBF

IRLR7843TRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RK7002AT116

RK7002AT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SUP90P06-09L-E3

SUP90P06-09L-E3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RK7002BT116

RK7002BT116

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
TK10V60W,LVQ

TK10V60W,LVQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
FQAF6N90

FQAF6N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RK7002BMT116

RK7002BMT116

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IXFA230N075T2

IXFA230N075T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXTX550N055T2

IXTX550N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
NTB18N06G

NTB18N06G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RSQ015P10TR

RSQ015P10TR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SSM3K16FU,LF

SSM3K16FU,LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RK7002BMHZGT116

RK7002BMHZGT116

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FDMS3500

FDMS3500

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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