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178186RK7002BMT116-Bild.LAPIS Semiconductor

RK7002BMT116

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RK7002BMT116
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SST3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    200mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    RK7002BMT116CT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    15pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    250mA (Ta)
RK7002BT116

RK7002BT116

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IPS70R360P7SAKMA1

IPS70R360P7SAKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSL802SNL6327HTSA1

BSL802SNL6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPP60R280C6XKSA1

IPP60R280C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IXTH80N20L

IXTH80N20L

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 80A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
HUFA75842S3ST

HUFA75842S3ST

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IXTQ30N50L2

IXTQ30N50L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IRL1404ZPBF

IRL1404ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRF620STRR

IRF620STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
STW21N90K5

STW21N90K5

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
2SK3377-Z-E2-AZ

2SK3377-Z-E2-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RK7002AT116

RK7002AT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
APT40N60JCU2

APT40N60JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SI5486DU-T1-E3

SI5486DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RK7002T116

RK7002T116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RK7002BMHZGT116

RK7002BMHZGT116

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig

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