RHU003N03FRAT106

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Spezifikation

Artikelnummer

RHU003N03FRAT106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RHU003N03FRAT106.pdf
2.RHU003N03FRAT106.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Verlustleistung (max)

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RHU003N03FRAT106TR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

300mA (Ta)

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Das Folgende sind "RHU003N03FRAT106" -Einziper.

IRFS3307ZTRLPBF

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RHU003N03FRAT106

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