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5208724STP95N3LLH6-Bild.STMicroelectronics

STP95N3LLH6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STP95N3LLH6
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 40A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    70W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    497-10307-5
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)
RT0805FRD073K48L

RT0805FRD073K48L

Beschreibung: RES SMD 3.48K OHM 1% 1/8W 0805

Hersteller: Yageo
vorrätig

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