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5511368RGW60TS65DGC11-Bild.LAPIS Semiconductor

RGW60TS65DGC11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RGW60TS65DGC11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    650V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Testbedingung
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    37ns/114ns
  • Schaltenergie
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    92ns
  • Leistung - max
    178W
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    84nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    120A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    60A
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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IGC142T120T8RLX1SA2

IGC142T120T8RLX1SA2

Beschreibung: IGBT 1200V 150A SAWN ON FOIL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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IGC70T120T8RQ

IGC70T120T8RQ

Beschreibung: IGBT 1200V 75A DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SGR15N40LTM

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Beschreibung: IGBT 400V 45W DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RGW00TS65GC11

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Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
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RJH1CV7DPQ-E0#T2

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Beschreibung: IGBT 1200V 70A 320W TO247

Hersteller: Renesas Electronics America
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STGFW30NC60V

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Beschreibung: IGBT 600V 36A 80W TO3PF

Hersteller: STMicroelectronics
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RGW00TK65GVC11

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Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW60TK65DGVC11

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Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW80TS65DGC11

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Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW80TS65GC11

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Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW-24-1Y

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Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
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RGW60TS65GC11

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Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGW-32-1Y

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Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
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RGW-100-1Y

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Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
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RGW00TS65DGC11

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Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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