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4593852RFN5B6STL-Bild.LAPIS Semiconductor

RFN5B6STL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN5B6STL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    CPD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount CPD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig

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