Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFN3BM2STL
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
4080871RFN3BM2STL-Bild.LAPIS Semiconductor

RFN3BM2STL

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$1.00
10+
$0.882
100+
$0.697
500+
$0.54
1000+
$0.427
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN3BM2STL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    980mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    RFN3BM2STLCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden