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4843034RAL035P01TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

RAL035P01TCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RAL035P01TCR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RAL035P01TCR.pdf
    2.RAL035P01TCR.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RAL035P01TCR" -Einziper.
RAL025P01TCR

RAL025P01TCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPI65R420CFDXKSA1

IPI65R420CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
RFQ
IXFH66N20Q

IXFH66N20Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AON6450

AON6450

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF634STRRPBF

IRF634STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FDMS2508SDC

FDMS2508SDC

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 34A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AUIRF3415

AUIRF3415

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
CSD17585F5T

CSD17585F5T

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
BS170RL1G

BS170RL1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFU1010Z

IRFU1010Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STU13NM60N

STU13NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FDB86566-F085

FDB86566-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STP80NF55-08

STP80NF55-08

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ

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