RAL025P01TCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RAL025P01TCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RAL025P01TCR.pdf
2.RAL025P01TCR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

320mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RAL025P01TCRCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RAL025P01TCR" -Einziper.

IRF7807VD1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RAL025P01TCR

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