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R6020ENJTL

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  • Artikelnummer
    R6020ENJTL
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    LPTS (D2PAK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    R6020ENJTLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 20A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Tc)
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020ENX

R6020ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020KNX

R6020KNX

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6020FNX

R6020FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6020635ESYA

R6020635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6020ANX

R6020ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6020625HSYA

R6020625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020435ESYA

R6020435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020ENZC8

R6020ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

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