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5670623R6020ANX-Bild.LAPIS Semiconductor

R6020ANX

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6020ANX
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    50W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2040pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 20A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Ta)
DBMA44SNMBK52F0

DBMA44SNMBK52F0

Beschreibung: DSUB 44 F CRIMP HD NMB G

Hersteller: Cannon
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