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4769465DTD743EETL-Bild.LAPIS Semiconductor

DTD743EETL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DTD743EETL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    DTD743EETLCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    260MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    115 @ 100mA, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    200mA
  • Basisteilenummer
    DTD743
DTD543ZETL

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD523YMT2L

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DTD713ZETL

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DTD743XMT2L

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DTD543EETL

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DTD543XETL

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DTDG14GPT100

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