DTD114ESTP

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Spezifikation

Artikelnummer

DTD114ESTP
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DTD114ESTP.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SPT
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

SC-72 Formed Leads
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

DTD114

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Das Folgende sind "DTD114ESTP" -Einziper.

DTD113ZCHZGT116

Beschreibung: 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114ESTP

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