DTD113ECT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTD113ECT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTD113ECT116.pdf
2.DTD113ECT116.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTD113ECT116CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

33 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "DTD113ECT116" -Einziper.

DTD123ECT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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