DTC115TMT2L

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC115TMT2L
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC115TMT2L.pdf
2.DTC115TMT2L.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VMT3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

4823-30680-212
DTC115TMT2L-ND
DTC115TMT2LTR
Q2976642
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DTC115

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Das Folgende sind "DTC115TMT2L" -Einziper.

DTC123ECAHZGT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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