DTC115GUAT106

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC115GUAT106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC115GUAT106.pdf
2.DTC115GUAT106.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DTC115GUAT106DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DTC115

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Das Folgende sind "DTC115GUAT106" -Einziper.

DTC115TET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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