DTC114TCAHZGT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC114TCAHZGT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC114TCAHZGT116.pdf
2.DTC114TCAHZGT116.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

350mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTC114TCAHZGT116TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTC114TCAHZGT116" -Einziper.

DTC114TKAT146

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC114TCAHZGT116

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