DTC114EUBTL

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC114EUBTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC114EUBTL.pdf
2.DTC114EUBTL.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3F
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-85
Andere Namen

DTC114EUBTL-ND
DTC114EUBTLTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA
Basisteilenummer

DTC114

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "DTC114EUBTL" -Einziper.

DTC114TET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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