2SB1189T100Q

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Spezifikation

Artikelnummer

2SB1189T100Q
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SB1189T100Q.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

MPT3
Serie

-
Leistung - max

2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

2SB1189T100Q-ND
2SB1189T100QTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 700mA 100MHz 2W Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 100mA, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

700mA
Basisteilenummer

2SB1189

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Das Folgende sind "2SB1189T100Q" -Einziper.

2SB1201S-E

Beschreibung: TRANS PNP 50V 2A TP-FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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